Trabalho de Conclusão de Curso
Documento
Autoria
Unidade da USP
Data de Apresentação
Orientador
Banca
Maciel, Carlos Dias
Cesar, Amilcar Careli
Marques, Eduardo
Título em Português
Projeto de fontes de referência de tensão em tecnologia cmos
Palavras-chave em Português
Circuitos integrados MOS
Referência bandgap
Fonte de referência de tensão
Cincuitos analógicos
Microeletrônica
Resumo em Português
Fontes de tensão de referência são blocos fundamentais para muitos circuitos analógicos. A função deles é fornecer uma tensão que não varia nem com a temperatura nem com a tensão de alimentação. A forma simples e imediata de gerar tal tensão é por meio de diodos zener. Estes dispositivos, no entanto, não são encontrados na maior parte das tecnologias de circuitos integrados o que exige o uso de outras técnicas. Este trabalho abrange o projeto de uma fonte de referência de tensão em tecnologia CMOS. O projeto envolve a definição das especificações, dimensionamento dos transistores, simulações e desenho do layout de um protótipo de um circuito para fabricação. A fonte a ser projetada é do tipo bandgap e será desenvolvida para a tecnologia CMOS 0,35 μm da AMS (AustriaMicroSystem) com quatro níveis de metal e dois de polisilicio.
Palavras-chave em Inglês
MOS integrated circuits
bandgap reference
voltage reference
Resumo em Inglês
Voltage references sources are essential for most analog circuits. Their main purpose is to provide temperature and power supply invariant voltage. The simplest and most immediate way to generate such voltage is through the use of zener diodes. These devices, however, cannot be found in the most common integrated circuit technologies, which demand other techniques. This project comprehends the design a voltage reference source using CMOS (Complementary Metal Oxide Silicon) technology. This development involves defining the circuit’s specifications, dimensioning the transistors, simulating and lay outing a prototype of the circuit. The voltage reference to be designed is a bandgap circuit and will be developed for the CMOS 0,35 μm from AMS (AustriaMicroSystem) with four metal levels and two polisilicon levels.
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Data de Publicação
2010-05-24
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