Trabalho de Conclusão de Curso

Documento

Autoria

Gozzo, Gabriel Canale

Unidade da USP

Data de Apresentação

Orientador

Poussep, Iouri

Banca

Soares Junior, Joao Navarro
Veronese, Paulo Roberto

Título em Português

Espalhamento eletrônico por rugosidade interfacial em heteroestruturas InGaAs/InP e GaAs/AlGaAs

Palavras-chave em Português

Espalhamento por rugosidade
Semicondutores
Heteroestruturas
Super-redes
InGaAs/InP
GaAs/AlGaAs

Resumo em Português

Amostras de heteroestruturas semicondutoras InGaAs/InP foram preparadas por fotolitografia com o objetivo de determinar os parâmetros geométricos da rugosidade interfacial e a influência do espalhamento por rugosidade na mobilidade. A altura da rugosidade foi determinada por difratometria por raios-X. A extensão lateral da rugosidade foi determinada pelo ajuste dos valores experimentais na dependência teórica. As mobilidades e parâmetros geométricos encontrados foram comparados com parâmetros de heteroestruturas GaAs/AlGaAs. Heterointerfaces muito mais lisas e mobilidades eletrônicas muito maiores foram encontradas em super-redes InGaAs/InP

Palavras-chave em Inglês

Roughness scattering
Semiconductor
Heterostructures
Super-lattice
InGaAs/InP
GaAs/AlGaAs

Resumo em Inglês

Semiconductor samples of InGaAs/InP heterostructures were prepared by photolithography in order to determine the geometrical parameters of interfacial roughness and the influence of roughness scattering on mobility. The height of the roughness was determined by X-ray diffraction. The lateral extent of the roughness was determined by fitting the experimental values on the theoretical dependence. The mobilities and geometrical parameters found were compared with parameters of GaAs/AlGaAs heterostructure. Heterointerfaces much smoother and much improved electronic mobilities were found in InGaAs/InP super-lattice

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Data de Publicação

2011-11-18

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